Geprägter antistatischer Wafer-Abstandshalter

Geprägte antistatische Wafer-Abstandshalter wurden aus permanenten antistatischen PE-Polyethylenfolien hergestellt, Oberflächenwiderstandswert: 10/6 ~ 10/9 Ω

 

Beschreibungen:

Geprägte antistatische Wafer-Abstandshalter werden aus permanenten antistatischen Polyethylenfolien hergestellt

Gleichmäßiger und stabiler Oberflächenwiderstand.

Hervorragende doppelseitige antistatische Leistung und Prägung

Durch Heißpressen und Stanzen

Hervorragende antistatische Eigenschaften, gute Stoßfestigkeit, Beseitigung organischer Verunreinigungen



Merkmale:

Geprägte Oberflächen von antistatischen Wafer-Abstandshaltern können geprägt werden

Hervorragende Dimensionsstabilität

Ultralow Partikel und geprägt

Einheitliche stabile Oberflächenwiderstände.

Hervorragende doppelseitige antistatische Leistung



Leistungsmerkmale:

Geprägter antistatischer Wafer-Abstandshalter

Farbe

Schwarz

Oberflächen

Geprägt

Oberflächenwiderstände

106~109Ω



Anwendungen:

Geprägter antistatischer Wafer-Abstandshalter

Waffel

Chip

IC

TFT-LCD

Solarwafer

Solar-Silizium-Wafer

Solarzellenwafer

Multimonokristalliner Siliziumwafer

Halbleiter

Mikroelektronik




Bestellinformationen:

Geprägter antistatischer Wafer-Abstandshalter

Wafergröße

Bestellcode

Zwischenblattdurchmesser

Dicke der Separatoren

Verpackung

4"

SSPES-SRCF-10S4

100mm

0.10mm (.0039")

200/Packung

5"

SSPES-SRCF-10S5

125mm

0.10mm (.0039")

200/Packung

6"

SSPES-SRCF-10S6

150mm

0.10mm (.0039")

200/Packung

8"

SSPES-SRCF-10S8

200mm

0.10mm (.0039")

200/Packung

12"

SSPES-SRCF-10S12

300mm

0,1 mm (.0039")

200/Packung

14"

SSPES-SRCF-10S14

360mm

0,1 mm (.0039")

200/Packung


FAQ:

Der geprägte antistatische Wafer-Abstandshalter

A.Geprägter antistatischer Wafer-AbstandshalterMethode verwenden

B. Welche Branchen den geprägten antistatischen Wafer-Abstandshalter verwendet haben




Leistungsmerkmale:

Geprägter antistatischer Wafer-Abstandshalter

Farbe

Schwarz

Auftauchen

Geprägt

Oberflächenwiderstände

106~109Ω




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